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弗劳恩霍夫（Fraunhofer ISE）的晶片键合III-V / Si多结太阳能电池效率为31.3％。
奥地利半导体生产设备EV Group（EVG）制造商和德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所ISE宣布了硅基多结太阳能电池的新效率记录。
来自这两个实体的研究人员声称，他们已经为此类电池实现了31.3％的效率，从而改善了去年11月宣布的之前的30.2％的记录。
科学家已经使用直接晶圆键合工艺将几微米的III-V半导体材料转移到硅上。通过等离子体激活后实施的此过程，子电池表面通过施加压力在真空中绑在一起。结果，Fraunhofer ISE解释说，III-V子电池表面上的原子与硅原子形成键，从而形成单片器件。
该电池由三个子电池组成，这三个子电池由镓铟磷化物（GaInP），砷化镓（GaAs）和硅（Si）构成，它们堆叠在一起并跨越太阳光谱的吸收范围。将III-V层外延沉积在GaAs衬底上，然后结合至硅太阳能电池结构。
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