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天合光能宣布其在中国常州的光伏科学与技术国家重点实验室的IBC电池效率达到25.04％。该记录是在243.18cm²的n型单晶IBC电池上实现的，开路电压高达715.6mV。
根据天合光能（Trina Solar）的说法，该电池是在掺磷的硅基板上制造的，并采用了低成本的工业IBC工艺，具有传统的管掺杂技术和完全丝网印刷的金属镀层。
效率由日本电气安全与环境技术实验室独立验证。Trina还指出，该电池是第一个效率超过25％的单结晶体硅电池。
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