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这些索赔是由荷兰代尔夫特理工大学的一个小组提出的。
荷兰代尔夫特理工大学的研究人员已使用高度透明的氢化纳米晶体氧化硅(nc-SiOx:H)层来提高晶体硅异质结太阳能电池的效率。
代尔夫特小组表示,这些层为常用的接触堆叠结构提供了替代方案,例如氢化非晶硅((i)a-Si:H)。后者具有有限的厚度,但是当放置在电池向阳侧时会遭受很大的寄生损失。科学家们尝试了更高的掺杂量来解决这种损失,但是观察到这种变化导致缺陷密度的增加和载流子收集的恶化。
荷兰小组声称,当将nc-Si:H层应用于载流子选择触点时,其nc-Si:H层的优异电性能改善了异质结硅电池触点堆栈中的光电参数。
研究人员在论文《高效率c-Si异质结太阳能电池的掺杂氢化纳米晶氧化硅层掺杂》中发表了论文,该材料由嵌入非晶态基质中的小纳米晶体组成,在生长方向上具有确定的各向异性。光伏。各向异性与物体的磁特性有关,其方向不同。
n型更好
代尔夫特小组在实验室水平生产的太阳能电池测量值为7.84平方厘米,金属覆盖率为12.5%。研究人员说:“对于n型和p型层,当沉积过程中缺少CO2时,可获得高导电性的nc-Si:H层。”
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