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周末读:镓与LID的斗争

时间:2021-12-05 12:16:22 来源:

掺杂镓的硅晶片的应用可以有效地减轻初始LID,使用硼掺杂的p型硅晶片的电池长期以来一直遭受这种破坏。

摘自PV杂志05/2020

光伏的圣杯是在提高效率的同时降低成本。这给光伏行业带来了持续的压力,以降低电池和模块的制造成本。实现此目标的方法是追求提高PV转换效率,并降低太阳能电池组件的年降解率。迫切需要硅材料高度稳定,同时提供高的超额载流子寿命。

大多数PV模块是使用p型硅基板制造的,即使暴露在阳光下,即使在低至70 C(典型操作条件下经常遇到的温度)下,该基片也易于降解。几十年来,这种退化被称为光致退化(LID),困扰着光伏产业。

P型掺杂

掺杂是PV中的基本现象。在掺杂过程中将杂质添加到硅晶体中以使其导电。对于p型掺杂,III族元素是掺杂剂的理想选择。当将这些掺杂剂混合到纯硅中时,会在硅中形成可以接收电子的空穴,从而使硅材料成为p型。形成这些孔是因为III类元素的电子比硅少一个。

目前,p型衬底上的PERC技术在光伏制造商中占据主导地位。硼掺杂的硅是主要的p型掺杂剂,但它对LID高度敏感,因此需要额外的处理步骤来减轻这种降解。

生产稳定寿命材料的另一种方法是用不同的III族元素(例如铝,镓或铟)掺杂硅。铝掺杂是不可行的,因为它会在硅材料中形成复合活性缺陷。

华威大学的尼古拉斯·格兰特(Nicholas Grant)和约翰·墨菲(John Murphy)最近研究了铟掺杂的可行性,并发现其相对较深的能级限制了其潜力。这就给我们留下了一个问题,即镓是否可以替代硼,是否有可能将其用作p型硅太阳能电池的主要掺杂剂。

为什么是镓?

格兰特说:“掺加镓的硅在长时间照明下表现出非常稳定和长寿命。还没有任何已知的有害重组活性缺陷。”

掺杂镓的硅晶片的应用可以有效地减轻初始LID,使用硼掺杂的p型硅晶片的电池长期以来一直遭受这种破坏。因此,不同于硼掺杂的现状,镓掺杂的硅不需要用于减轻降解的附加稳定步骤。掺镓电池的平均效率比掺硼电池的平均效率高0.09%。

格兰特说:“我的团队进行了稳定性测试,未观察到使用掺镓硅衬底的PERC太阳能电池的明显降解。”“相反,在相同的实验条件下,我们确实观察到了具有掺硼硅衬底的等效PERC太阳能电池的显着降解。”

镓掺杂使光伏组件能够提供长期的性能,稳定性和潜在的投资回报率。使用镓掺杂来稳定寿命并因此稳定电池效率的另一个好处是,电池生产线不需要额外的制造工具或处理步骤,而切换到n型衬底则不是这种情况。

潜在问题

掺杂镓的硅的历史性缺点是在锭生长期间镓的偏析系数低。相对于硼,镓具有更强的热力学趋势,可以留在熔体中而不是掺入固体硅晶体中。

研究人员已经注意到,沿铸锭长度方向的电阻率变化很大,并且变化率很容易超过一个数量级。当光伏电池制造商需要在严格的电阻率范围内(例如1-2Ωcm)的大量晶片时,这是不理想的。这也可能导致电参数的显着变化,并可能减少铸锭的可用部分,这会损害产量,并可能对成本造成不利影响。

生产许可证

诸如JA Solar,Longi和Trina Solar之类的太阳能制造商将精力集中在生产镓掺杂的硅片上。


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