适用于65W氮化镓1A2C国产PD快充方案
65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率。
四川美阔推出了一款1A2C65W氮化镓(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A,内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管;采用PD3.0协议IC。
空载损耗低于50mW;控制IC可支持频率高达160 kHz,峰值效率达到91.62%,方案尺寸为60*60*30mm,功率密度达到1.5W/cm3。
电路原理图:
充电器主控芯片采用美阔的GaN氮化镓功率芯片MGZ31N65。其内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路,250mΩ导阻,耐压650V,支持2MHz开关频率,采用8*8mm QFN封装,节省面积。
具有良率高,驱动电路简单,抗干扰能力强,封装全面,动态电阻低等优势,良率高,产能大,持续成本优化,竞争力不断提升。
PCB布局图:
其优势:
1、返驰式谷底侦测减少开关损失
2、轻载Burst Mode增加效率
3、最佳效能可达91%;空载损耗低于50mW
4、控制IC可支持频率高达160 kHz
5、系统频率有Jitter降低EMI干扰
6、可输出65W功率;控制IC可直接驱动GaN
◆进阶保护功能如下:
(1) VDD过电压及欠电压保护
(2) 导通时最大峰值电流保护
(3) 输出过电压保护(4) 输出短路保护
美阔65W 1A2C有线快充模块为高功率密度设计,多接口输出,小巧紧凑。模块正反面均使用散热片覆盖,并缠绕胶带固定。输入线通过过孔焊接连接,便于在充电插排中应用,满足各类手机和电源适配器、LED照明驱动器、LCD显示器电源、带充电界面排插…供电需求。
更多GaNPD快充方案、线路图纸、变压器设计、测试数据及应用要点等资料,可联系:19168597394(微信同号)欢迎咨询。
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