中国中车和中国华电签署战略合作框架协议
将模块装入PI Berlin的气候室内,只能通过高温测试才能检测到LeTID。现在,中国的科学家对负责任的机制有了进一步的了解。
于2012年首次发现,众所周知,光升高的温度引起的退化(LeTID)可能会在几年内导致该模块的性能损失高达10%,并且已在大多数p型硅PV技术中观察到。这使工厂所有者和模块制造商都感到头疼。
但是,这种降解的背后机制很复杂,到目前为止,科学家还无法找出确切的原因。在有关LeTID效应的最新研究中,以中国科学院为首的科学家研究了LeTID对太阳能电池表面以及硅与钝化层之间界面的影响。
该小组使用深层瞬态光谱法(一种观察半导体材料中活性缺陷的特殊方法)来查看一系列经过不同处理的多晶硅样品(包括氧化铝和氧化铝/氧化铝/氮化硅混合钝化层)中表面钝化的降解行为。 。
他们在最近发表在《太阳能》上的“高温和高照度下P型多晶硅表面相关的降解现象”中描述了他们的工作。
散装到表面
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