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几个月前,DDR5内存刚成为主流,如今三星已经率先开始了下一代DDR6内存的早期开发过程。近日,据韩媒报道,三星DDR6内存已经投入研发,并预计在2024年之前完成设计。
在韩国水原的一次研讨会上,三星负责测试和系统封装(TSP)的副总裁透露,随着未来内存本身性能的扩大,封装技术也需要不断发展。该公司证实,它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段,将采用MSAP技术。目前,MSAP已经被三星的竞争对手(SK海力士和美光)用于DDR5中。
据悉,MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的,这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接,而且还将适应DDR6内存中增加的层数。
以前的帐篷法只能在圆形铜板上形成电路图案的区域进行涂层,而其他区域则被蚀刻掉。但在MSAP中,电路以外的区域都被镀上了一层,这样就可以形成更精细的电路。三星副总裁表示,随着存储芯片的容量和数据处理速度的提高,必须设计出适合这种情况的封装。随着层数的增加和工艺的复杂化,内存封装市场也将呈指数级增长。在扇出型封装方面,三星正在应用扇出-晶圆级封装(FO-WLP)和扇出-面板级封装(FO-LP)。
预计三星将在2024年之前完成其DDR6设计,2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言,DDR6内存的速度将是现有DDR5内存的两倍,传输速度可达12800 Mbps(JEDEC),超频后的速度可超过17000 Mbps。目前,三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200 Mbps,在JEDEC标准下提高了1.7倍,在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。
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