半导体制程比拼：英特尔3nm吊打三星台积电
近日，Digitimes发布的一份研究报告中，详细分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。
（数据源自Digitimes）
10nm
在10nm节点，三星的晶体管密度只有0．52亿个／mm?，台积电是0．53亿个／mm?，英特尔已经达到了1．06亿个／mm?。英特尔的晶体管密度达到了台积电和三星的两倍左右。
7nm
在7nm节点，三星的晶体管密度是0．95亿个／mm?，台积电是0．97亿个／mm?，而英特尔预计将达到了1．8亿个／mm2。英特尔的晶体管密度依然比台积电和三星高出了80％以上。
5nm
在5nm节点上，三星的晶体管密度提升到了1．27亿个／mm?，台积电则达到了1．73亿个／mm?，英特尔将达到3亿个／mm?。英特尔的晶体管密度比台积电高出了超过73％，达到了三星2．36倍。
3nm
到了3nm节点，台积电的晶体管密度大约是2．9亿个／mm2?，三星只有1．7亿个／mm?，英特尔将达到5．2亿个／mm?。英特尔的晶体管密度比台积电高出了超过79％，达到了三星2倍以上。即便是英特尔的5nm制程，其晶体管密度也达到了三星2nm的1．76倍。
2nm
至于2nm节点，目前没多少数据，IBM之前联合三星等公司发布的2nm工艺密度大约是3．33亿个／mm?，台积电的目标则是4．9亿个／mm?，均低于英特尔3nm的晶体管密度。
虽然以上数据其实不能100％反映各家的工艺技术水平，因为还需要考虑到其他的例如鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、功耗、成本等方面的问题。但就摩尔定律关注的晶体管密度指标来看，在同一制程工艺节点上，英特尔的优势巨大，甚至相比台积电、三星更新一代的制程工艺也同样具有一定的领先优势。
郑重声明：文章仅代表原作者观点，不代表本站立场；如有侵权、违规，可直接反馈本站，我们将会作修改或删除处理。
相关阅读
猜你喜欢
-
SEMI：半导体设备销量2022年预计超过1000亿美元
2021-07-14 -
半导体产业链中，涉及多少种设备？
2021-07-14 -
英特尔拟斥资1300亿建设芯片工厂
2021-07-13 -
英特尔拟斥资200亿美元在欧盟各国建造芯片厂
2021-07-12 -
德淮半导体“烂尾”新进展：起拍价16.66亿
2021-07-09 -
韩国政府拟投350亿美元发展动力电池产业
2021-07-09 -
为规避关税 三星SDI拟赴美建设动力电池工厂
2021-07-09 -
单日确诊近8000人！马来西亚众多半导体工厂停工，缺芯影响或加剧
2021-07-08 -
美国科学家开发出新工艺来制造仅几原子厚的半导体叠层
2021-07-08 -
三星Q2财报指引：利润或大涨超50%
2021-07-07 -
劲拓股份牵手海思半导体：发力半导体封装
2021-07-07 -
iPhone 13即将发布，采用三星的OLED屏幕
2021-07-07 -
英特尔或将包下台积电3nm产能
2021-07-07 -
英特尔顶级桌面处理器曝光：20核心40线程
2021-07-07 -
华为公开“半导体器件”相关专利
2021-07-07
2021-07-14
新能源
