三星芯片计划:首批3nm芯片2022年见!
在近日举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,三星宣布推出了全新的17nm工艺,并宣布将于2022年上半年量产3nm制程,更先进的2nm制程将于2025年量产。
三星晶圆代工部门总裁Choi Si young在谈及三星芯片生产的未来,以及全球芯片短缺对其代工业务的未来时表示,尽管全球零部件短缺,三星仍希望保持竞争力。Si young强调,三星将"引领最先进的技术,同时进一步扩大硅规模"。
即使面临全球芯片短缺局面下,三星依然预计"很少有公司能够在这一新的工艺规模前沿领域展开竞争。"
全新17nm亮相
本次论坛上,三星宣布推出全新的17LPV工艺,即Low Power Value的17nm工艺。
资料显示,17LPV工艺是28nm工艺的演进版,其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序,也就是在28nm节点的基础上,加入了14nm FinFET立体晶体管,只需不高的成本,就能享受后者的能效优势。
据三星方面介绍,17LPV工艺相比传统28nm,芯片面积可缩小43%,可以带来39%的性能提升或者49%的功耗降低。17nm LPV工艺的量产时间虽然没有透露,单三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器,属于三星自家的CMOS传感器产品线。此外,三星还打造了14nm LPU工艺,即Low Power Ultimate,但并未透露详情,可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。
2022年上半年生产首批3nm芯片
值得一提的是,三星还在本次论坛上宣布,预计在在2022年上半年开始生产客户的第一批3nm芯片,第二代3nm芯片预计将于2023年开始生产。
由于FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽,三星的下一步技术是采用GAA环绕栅极,在3nm工艺上分为两个版本,其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产,3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。
对比5nm,三星新的3nm GAA可以让面积缩小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。由于采用了3nm全栅(GAA)节点,这些新芯片的性能将提高30%,功耗将减半。同时该芯片占用的空间比5nm的同类芯片少35%。
在应对3nm芯片的量产上,三星表示位于韩国平泰的工厂将生产3nm芯片,目前正在扩建以支持更高的容量。还有一家铸造厂计划在美国建造,不过有关其位置的细节尚不清楚。
2nm芯片2025年量产
三星还在本次论坛上透露,2nm工艺的芯片还处于开发的早期阶段。这些将使用砷化镓和多桥沟道场效应晶体管技术,这也正在开发中。
对于2nm芯片的时间节点,三星表示计划在2025年开始大规模生产2nm工艺的芯片,并于2026年开始有大量基于三星2nm的产品上市。
另一方面,三星之所以能在2nm节点上领先的另外一个原因也是GAA技术可以复用在2nm技术当中,这得以让三星后续的2nm技术研发能够事半功倍。
三星表示,其2nm制程技术将使芯片性能、能效进一步提升,继续推进电子产品的小型化。
根据最新统计数据显示,三星电子第三季度销售额73万亿韩元,市场预估73.47万亿韩元;第三季度营业利润15.8万亿韩元,市场预估15.75万亿韩元。三星表示,业绩提升得益于芯片价格上涨及其折叠屏智能手机的强劲需求。三星将于10月28日发布正式财报时提供净利润和部门细分数据。
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