被拘留起诉！三星前员工盗取核心技术泄露至中国牟利710亿韩元

5月25日消息，据外媒报道，三星前员工因涉嫌将三星电子旗下子公司SEMES开发的半导体清洗设备技术出售给中国企业，从中获取数百亿韩元的非法利益，SEMES前研究员及同伙日前已被移交法院。

据水原地方法院25日消息，因涉嫌违反《防止不正当竞争法》《商业机密保护法》《产业技术保护法》等法律，三星电子旗下子公司SEMES前员工A某等7人日前被提起拘留起诉。

A某以研究员身份在SEMES公司任职超过10年，2018年3月起至去年12月，他盗取SEMES公司技术后，制成14台相同配置的半导体清洗设备，与相关技术一同出售于中国企业及研究机构，从中获取710亿韩元（约合人民币3．7亿元）的报酬。

A某在从SEMES公司辞职时，未按照要求交还相关信息，从合作客户代表处盗取设计图纸、零件清单、药业管道信息、操作标准、软件等几乎全部技术。A某团伙盗取的半导体清洗设备时SEMES专利技术制成的主力产品，在芯片制程最初阶段用于清除污物。该设备可用来清洗包括硫酸在内的高温液体，并将传送机器人的手臂从2只增至4只，大大提高了清洗速度。

SEMES公司为研究开发这一技术投资2188亿韩元，技术泄露或导致该公司每年遭受400亿韩元以上的经济损失。

A某及团伙以曾在SEMES任职的履历为招募投资方，接受中国企业的投资后在天安成立工厂后制造设备。并同中方企业成立合资法人，转移相关技术，以此为交易条件获得20％的股份。在国家情报院产业机密保护中心收到举报启动调查后，涉案团伙曾毁灭保存于硬盘及手机中的相关证据。

据了解，SEMES是三星电子旗下的一家半导体设备供应商（三星拥90％以上的Semes的股份），同时也是韩国最大的半导体设备制造商。

目前，Semes的产品主要包括半导体前道工序领域的清洗（LOTUS、BLUEICE PRIME）、Phototrack（OMEGA－S、OMEGA－K）、蚀刻（Michelan O3、Michelan C4）设备，还有后道工序的Bonder、Probe、Test Handler等设备。

数据显示，Semes在2021年全年的收入为3．12万亿韩元（约人民币162亿元），营业利润为3533亿韩元。这是该公司迄今为止最好的年度业绩。与2020年相比，收入和营业利润也分别增长了41％和24％。其中，晶圆厂设备占Semes的2021年收入的75％，而平板显示设备占比1．7％。2020年，晶圆厂设备占其年收入的61．24％，而平板显示设备占比9．9％。

根据Gartner的数据显示，在2019年的全球半导体清洗设备市场，日本迪恩士（DNS）、日本东京电子（TEL）、韩国SEMES和美国泛林集团（Lam research）分别占据了45．10％、25．30％、14．80％和12．50％的市场。

持续扩张半导体版图

虽然发生了“家贼”事件，但这并未影响到三星的扩张计划，日前三星电子宣布，将在未来五年内向半导体、生物、IT等未来增长领域业务投资450兆韩元（约3560亿美元），并创造 8 万余个就业岗位。

三星表示，这一支出数额比前一个五年期增加了 30％ 以上，该公司在前一个五年期支出了 330 万亿韩元（约 1．74 万亿元人民币），并补充说这将推动公司业务长期增长。

三星表示，这 450 万亿韩元将用于资本支出和研究支出，其中 360 万亿韩元将投资于韩国，并指出世界各国正在认识到半导体和生物制药行业的战略重要性。三星表示，在当前的环境下，将这些行业的供应链留在韩国非常重要，并表示在五年内还将创造 8 万个新的就业机会。

三星公司的最新支出计划是该公司去年宣布的计划的更新版本，该公司在该计划中说，将在三年内花费 240 万亿韩元用于战略部门。与之前的计划相比，每年的支出和创造的就业机会都有所提高。

投资内存芯片

在这份投资计划中，三星电子将继续投资于内存芯片，并加强对新材料和芯片架构的研究。投资还将集中在逻辑芯片上，如应用处理器和图像传感器。该公司将继续研究新的芯片，将内存和处理功能结合到一个芯片上。

据了解，在过去 30 年中，DRAM 市场的特点是经历了惊人的增长时期和毁灭性的崩溃年份。近年来，DRAM 市场在 2019 年下跌 37％，但在 2021 年飙升 42％。无论是什么原因，“繁荣、萧条”的周期使主要的 DRAM 供应商的数量从 1990 年代中期的 20 家降至现在的 6 家。2021 年，三家最大的供应商三星、SK 海力士和美光总共占有 94％ 的 DRAM 市场份额。总部设在韩国的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 销售的 71．3％。

报告显示，凭借 44％ 的市场份额，三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供应商，销售额达到近 419 亿美元。值得注意的是，去年三星还在多个方面推进其 DRAM 业务，包括在 2020 年 3 月率先使用极紫外（EUV）光刻技术后，于 2021 年 10 月开始大规模生产基于 EUV 的 14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的 14nm DDR5 上的 EUV 层数从两层增加到了五层 DRAM 工艺。

如今，三星将继续投资内存芯片，显然其还想继续维持自身在内存芯片领域的绝对统治力。

推进3nm工艺进度

除了投资内存芯片外，三星电子还计划提前大规模生产基于 3 纳米节点的芯片。三星电子表示，如果三星的代工业务发展成为世界第一，对韩国的经济影响将类似于增加一个比目前三星电子更大的企业集团。

据了解，目前全球仅台积电和三星正在研发3nm芯片制程工艺，其中，对三星来说，3nm节点是他们押注芯片制程工艺赶超台积电的关键，根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45％以上，功耗降低了50％，性能提高了约35％，纸面参数上来说要优于台积电3nm FinFET工艺。

日前美国总统乔·拜登参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，在此次参观中，三星电子还首次展示了新型 3 纳米芯片和环绕式栅极技术（Gate－All－Around，GAA）技术，并公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。

随着半导体在现代生活中发挥着越来越大的影响力，半导体的发展前景也因此水涨船高，于是，三星开始逐步加大对半导体领域的投资，三星认为，在当前的环境下，将半导体行业的供应链留在韩国非常重要。