私挖合作公司客户，IBM被罚107亿！

6月1日消息，据彭博社报道，美国IP 设计龙头企业IBM陷入一宗排挤对手的诉讼，法庭日前判决称，IBM公司必须向美国“BMC软件公司”赔偿16亿美元（约合人民币106．8亿元），理由是两家公司在服务共同客户的过程中，IBM 不正当地用自己的软件替换了 BMC 在 AT＆T 公司的大型机软件。

美国地方法官格雷米勒表示，IBM 通过欺诈说服软件公司 BMC 签署了一份合同，允许 IBM “在不支付费用的情况下行使权利，获得其他合同利益，并最终获得 BMC 的核心客户之一”。

据了解，IBM和BMC曾签下一份精心协商的协议合作运营，协议内容禁止IBM鼓励两家公司的共同客户转用自家软件产品线。

在2017年，BMC起诉IBM，称后者违反协议，在2015年双方续签权力共享协议时挖角AT＆T的软件业务。

BMC要求法院判决IBM支付违反协议的7．91亿美元（约合人民币52．8亿元）违约金，并赔偿丢掉AT＆T合同损失的1．04亿美元（约合人民币6．9亿元）利润。BMC还要求法院考虑，如果发现IBM故意干扰BMC的客户关系，就将赔偿总金额增加两倍。

IBM则反驳说，AT＆T放弃了BMC的产品并转投IBM是出于它自己的原因；IBM声称，根据与BMC的协议，这是公平的竞争。虽然IBM近年已逐渐转向云计算和人工智能服务，但大型机仍然是其信息技术产品组合的重要一部分。

此外，IBM还表示，其“在此次合作的各个方面都本着善意行事”，并誓言将提起上诉。IBM在一份声明中表示：“这一判决完全没有事实和法律依据，IBM计划在上诉中寻求完全逆转这一判决。”“将 BMC软件技术从其主机上移除的决定完全是由AT＆T做出的，这一点得到了法庭的认可，并在AT＆T代表的证词中得到了证实。”

美国休斯顿地区法官Gray Miller周一驳回了IBM称其“公平公正地获得了AT＆T软件业务”的说法。该法官根据他之前的判断认定，IBM在AT＆T抛弃BMC的决定中所扮演的角色“带有故意不当行为的色彩”。并判决IBM必须向美国“BMC软件公司”赔偿16亿美元。

公开资料显示，IBM是唯一横跨大型机、PC、移动互联网、云计算四个时代，并即将步入智能时代的企业，其业务包括芯片设计、云计算、人工智能和IT基础设施等多个领域。

重心倾注芯片工艺赛道

作为IT界的行业翘楚，IBM最为令人注目的还属其芯片制程设计能力。

IBM与英特尔一般，是芯片制造行业最早入局的那批企业之一。早在1950年，IBM就使用晶体管技术制造并卖出了1万多台计算机。60年代到80年代是IBM最风光的时期，随着集成电路技术的成熟，IBM在1981年8月12日，推出了世界上第一台个人电脑——IBM5150。

要知道，用芯片代工模式改变全球芯片产业链的foundry企业台积电，是在1987年才成立的。因此，IBM等老牌IT企业，在造电脑时，很多情况下是自己把芯片设计并制造出来的，这种芯片生产模式叫做IDM，Integrated Device Manufacture，即一家企业将芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节自己大包大揽了。1988年，IBM搭建了全球第一条200mm晶圆生产线。随后在2002年，IBM又建成了全球最先进的300mm生产线。

不过，由于IBM自身的芯片制造技术跟不上时代的发展，制造能力已经远远落后于后起之秀台积电与三星，为了产品的性能，IBM只能将研发出来的IBM Power 10处理器交由三星代工生产，旗下的晶圆厂也因为失去用途而出售给格罗方德。

虽然IBM已经售出晶圆厂，宣告退出芯片制造赛道。但事实上，蓝色巨人并没有放弃先进芯片制程工艺芯片的研发。通过与AMD、三星以及GlobalFoundries等企业合作，IBM接连在多个工艺节点，率先推出测试芯片。

去年11月，IBM宣布其已经创造出世界上第一个2nm节点芯片，该芯片最小元件比DNA单链还小，并且是全球晶体管数量最多的芯片，相当于整个世界树木的10倍，而且其性能相比当前的7nm芯片提高了足足45％，如果将能耗比视为首位，其功耗也做到了比7nm芯片减少了75％。

据悉，该芯片是在IBM研究院在其纽约州奥尔巴尼半导体研究机构设计和生产，根据IBM公布的芯片数据信息显示，该2nm芯片可容纳500亿个2nm晶体管，这意味着在每平方毫米芯片上集成3．33亿个晶体管。

与之相比，目前台积电的5nm芯片制程约有1．71亿个晶体管，而三星5nm制程每平方毫米约有1．27亿个晶体管。这使得该芯片在计算速度方面翻了将近一倍。

IBM此次研发出来的芯片纳米技术对半导体进行了更高级的扩展，这种架构是业界首创。IBM通过增加每个芯片上的晶体管数量可以让芯片变得更小、更快、更可靠、更高效。2 nm芯片制程工艺设计的成功，意味着在IBM在宣布 5 纳米设计研发成功之后，仅用了不到四年时间就再次实现技术突破。

在IBM这次研发的2nm芯片里，IBM用上了一个被称为3D纳米片堆叠的晶体管技术（nanosheet stacked transistor），它将NMOS晶体管堆叠在PMOS晶体管的顶部，而不是正常晶体管那样并排放置，利用类似电子开关形成二进制数字1和0的变化。后者尽管有更快、更省电的作用，其最大的缺点是电子泄漏，而IBM的2nm芯片已经克服了这个问题。

与此同时，该芯片还使用了底部电介质隔离（bottom dielectric isolation）技术、内部空间干燥工艺（inner space dry process）技术、2nm EUV技术等，将有效改善原有晶体管技术存在的一些问题。

此外，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，“蓝色巨人”IBM还联合三星共同推出“垂直传输场效应晶体管”（VTFET） 芯片设计新工艺。

IBM与三星将晶体管以垂直方式堆叠，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1nm制程的瓶颈。

相较传统的水平放置晶体管的设计，这种新型的垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，在每个芯片上实现更高密度的这些组件，让运算速度提升两倍，同时借电流垂直流通，使功耗在相同性能发挥下降低85％。通过这种新设计，IBM和三星希望将摩尔定律扩展到纳米片阈值之外并减少能源浪费。

IBM 研究院混合云和系统副总裁 Mukesh Khare 博士表示：“今天我们共同发布这项新技术是在致力于挑战突破传统思路，重新思考我们应该如何持续推动社会进步，并提供新的创新，以改善人类的生活、工作和减少对环境所带来的负面影响。”

当今，主流的芯片架构采用的是横向传输场效应晶体管（FET），例如鳍式场效应晶体管（FinFET），因硅体类似鱼背鳍而得名。随着摩尔定律的延续，集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍，同时计算机的运行速度和存储容量也翻一番，如今可以塞进单个芯片的晶体管数量也几乎达到了极限。全新的设计方法能通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放（scaling ）障碍，并在性能和能耗方面对这些功能进行优化，这或许或成为未来芯片设计的新方向之一。