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俄罗斯科学家公布了III-V太阳能电池的新制造工艺

时间：2021-11-24 20:16:28 来源：

ITMO大学团队表示，他们的制造工艺可以为价格可承受40％的设备铺平道路。

俄罗斯圣彼得堡ITMO大学的研究人员正在测试多结III-V太阳能电池制造中的化合物A3B5半导体。

A3B5材料是半导体的一族，包括用作基本材料的砷化镓（GaAs），砷化铟（InAs），磷化镓（GaP），磷化铟（InP），锑化镓（GaSb）和锑化铟（InSb）。电子和光电应用。

ITMO大学团队表示，他们制造了小型实验室原型太阳能电池的顶层，该太阳能电池首次将A3B5材料集成在硅基板上。他们声称这项创新技术可以以较低的成本生产出高效的太阳能电池，因为其设备中使用的硅基板比IIV-V太阳能电池中使用的材料便宜得多-以元素周期表中的各组元素命名占据。

完美的一对

研究人员说，硅衬底上外延合成是一个困难的制造过程，因为沉积的半导体必须具有与硅相同的晶格参数。他们说：“粗略地说，这种材料的原子彼此之间的距离应该与硅原子相同。”

GaP是满足这些要求的一种半导体，但研究人员表示其光捕获特性有限。然而，磷化镓化合物当与氮结合时，表现出直接带性质和强的光捕获性质，并且适合于集成在硅衬底上。“同时，硅不仅用作光伏层的建筑材料，它本身还可以充当太阳能电池的光敏层之一，吸收红外范围内的光，” ITMO大学团队说过。

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