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内幕曝光，3nm参数远未达标而被喻为伪3nm，台积电和三星丢脸大了

时间：2022-09-29 10:16:15 来源：

台积电和三星的3nm都宣传了许久，三星表示已量产，而台积电则因为缺少客户犹豫着该不该量产，日前业内人士指出更深层次的问题则是它们的3n工艺都未达标，这才是根本原因，3nm似乎失败了。

内幕曝光，3nm参数远未达标而被喻为伪3nm，台积电和三星丢脸大了

台积电在研发3nm的时候无疑是偏保守的，它延续了此前的FinFET技术，如此可以确保3nm工艺的良率，毕竟FinFET技术已经用了数代，再加上3nm的研发本来风险就高，因为越是接近1nm极限，工艺研发的难度就越大，因此台积电选择了更稳妥的策略。

然而台积电的如此做法却也导致了3nm工艺的参数表现更差，据悉当时台积电其实已用3nm为苹果试产A16处理器了，但是生产出来的A16处理器表现远不如预期，而良率太低、成本太高，最终苹果还是选择放弃了3nm而改用5nm改良后的N4工艺。

三星则比台积电激进，直接在3nm工艺上引入了GAAFET技术，妄图通过更先进的技术在3nm工艺上一举赶超台积电，然而这却导致三星的3nm工艺难度更大，最终三星的3nm工艺良率低到令人发指的地步，成本则高到几乎失去经济价值。

三星如此激进在于它此前在7nm、5nm工艺上都败给了台积电，试图以3nm一举弯道超车，然而事实证明了三星在技术积累方面确实不如台积电，如此冒险推进，最终导致了它的3nm工艺量产面临的问题更多。

内幕曝光，3nm参数远未达标而被喻为伪3nm，台积电和三星丢脸大了

业内人士指出台积电和三星的3nm工艺在晶体管密度方面远未达到预期，它们将之命名为3nm更像是营销概念，因此有人将之称为“伪3nm”，这个其实此前的7nm、5nm工艺都曾引发争议，它们的7nm工艺在晶体管密度方面只是达到了Intel的10nm，但是在名字方面却偏要将之命名为7nm，也认为它们是为了营销。

在先进工艺研发方面失败，其实已经不是第一次，台积电的20nm工艺就曾未达到预期，最终20nm只是用了一代然后就被舍弃了；16nm工艺的表现更差，台积电的16nm工艺被指甚至还不如20nm，导致16nm工艺最终只有华为和另一家企业两个客户，其后台积电改良16nm工艺推出了16nmFinFET工艺才获得业界的认可。

在16nm工艺节点上，也是台积电和三星较量的分水岭，当时三星没有采用16nm的命名，而是称之为14nmFinFET工艺，苹果则将A9处理器同时交给了三星和台积电代工，成为检验它们工艺水平的利器，最终三星以14nmFinFET工艺生产的A9处理器功耗过高，而台积电以16nmFinFET工艺生产的A9处理器功耗更佳，最终奠定了台积电在先进工艺方面领先的美名。

如今在3nm工艺上，台积电和三星又展开了较量，然而从结果来看，这次两家芯片制造企业都没有获益，它们的3nm工艺似乎都已经失败了，台积电已开始推进3nm工艺的改良版N3E，三星方面估计也得加紧改进3nm工艺。

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在先进工艺的研发方面，台积电和三星不仅面临技术难题，如今它们还面临着市场的压力，由于3nm工艺的成本过高，此前除了Intel和苹果计划采用之外，并无其他芯片企业愿意采用，如今它们在技术上又未能达标，再加上全球芯片行业陷入衰退更看重成本，它们改良后是否会有芯片企业采用也是问题，可以说它们如今已陷入两难。

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