2022年半导体行业十大技术趋势！

半导体以及集成电路产业作为信息技术产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，行业正处在一个风险与机遇并存的技术大变革风口，洞悉发展趋势、把握产业脉搏，才能更好立足现状，赢得未来。

在本文中，OFweek维科·电子工程网盘点了2022年半导体产业的十大技术趋势，看看在这一年里，半导体产业中又迎来了哪些新的技术突破？

1．华为Mate50北斗短报文通讯技术

2022年9月，华为发布了 Mate 50、Mate 50 Pro 系列手机，搭载超光变 XMAGE 影像，超可靠昆仑玻璃，预装鸿蒙 HarmonyOS 3．0。最重要的一项功能是搭载“向上捅破天”的技术。

据华为介绍，华为 Mate 50 系列是全球首款支持北斗卫星消息的大众智能手机，在无地面网络信号覆盖环境下，仍可通过畅连 App 发送消息，支持一键生成轨迹地图，时刻与世界畅连，开启大众卫星通信新时代。

此外，华为李小龙还普及了一些 Mate 50 北斗卫星通信的内容，比如北斗用于短消息发送的卫星距离地面高度是 36000 公里，要在手机这么小的空间内把信号发送到 36000 公里的同步轨道卫星是比较困难的。

另外，有网友问北斗短报文只能单向发送，那如何知道是否发送成功？华为李小龙表示，在消息列表界面是可以显示是否收到卫星回执的，如果显示收到卫星回执，那就说明已经发送成功了。后面两条未收到卫星回执的消息是想试试在飞机上能否发送成功。

点评：华为将北斗卫星消息功能成功搭载在智能手机上，意味着国内北斗卫星产业将更上一层次，通过手机直接发送短报文，可有效降低北斗卫星通信的应用成本，可以让普通用户在登山、探险、自驾时不再担心失联风险。

2．首款 12 纳米级 DDR5 DRAM 开发成功

2022年12月21日，三星电子宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米（nm）级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high－k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20％。

基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7．2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。

新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23％，对于更多追求环保经营的全球IT企业来说，这将会是值得考虑的优选解决方案。而随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。

三星数据显示，结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款 DRAM 拥有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圆生产率提高 20％。基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7．2 千兆每秒（Gbps）的速度。

点评：三星12nm级DRAM的成功研发，将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，该款DRAM或将成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。

3．3nm工艺技术批量商用

3nm是目前芯片制造中的一种工艺制程，指芯片中一根晶体管源极和漏极（通俗指的电路正负极）之间的距离，电子像水流一样从源流到漏，中间仅有纳米级的间距，而一块先进工艺芯片内，通常有数亿个的晶体管且排布复杂，越先进的工艺生产，芯片越微缩、晶体管越密集，芯片的性能也越强。

由于在22nm节点上引用FinFET技术，将晶体管以3D形式排步，芯片的工艺无法只用纳米来衡量，但业内仍保留了这个称呼。

2022年，3nm工艺节点量产终点逼近，围绕该节点，全球巨头们的竞赛正在激烈进行。

台积电垄断了全球75％以上的晶圆代工先进工艺市场，在先进制程上，客户无法找到台积电的替代品，这也赋予了台积电更强的议价能力，如今在3nm上，三星电子是最有希望做出台积电竞品的公司，这让客户有了第二个选择。三星电子背后的韩国政府，正在对半导体制造业给予更多资金和技术的支持。

点评：需要注意的是，在上述两家巨头外，英特尔也计划重返3nm战场，英特尔在去年4月表示，Intel3（约合7nm）将于2023年下半年量产。在英特尔加入之后，3nm工艺的竞争将更加激烈。